具有压电选择器的交叉点磁性随机存取存储器

摘要

描述了一种磁性随机存取存储器(MRAM)位单元的三维(3D)阵列，其中，所述阵列包括由下述部分构成的网格：沿第一轴延伸的第一互连；沿第二轴延伸的第二互连；以及沿第三轴延伸的第三互连，其中，所述第一轴、所述第二轴和所述第三轴相互正交；并且其中，所述MRAM位单元的位单元包括：包括耦合至所述第一互连的第一电极的磁性结器件；与第二电极相邻的压电(PZe)层，其中，所述第二电极耦合至所述第二互连；以及与所述PZe层和所述磁性结相邻的第一层，其中，所述第一层耦合至第三互连。