一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜磁性能的方法

摘要

一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜磁性能的方法，磁性薄膜技术领域。本发明采用磁控溅射法依次在基底上形成缓冲层、NiFe磁性薄膜和保护层层叠的多层膜结构，所述缓冲层的材料为TaNb合金；溅射完成后进行真空退火处理。本发明利用TaNb合金替代传统金属Ta作为缓冲层，通过改善磁层结构，为磁阻薄膜的生长提供良好的平整度，在常温下也可更好地诱导NiFe薄膜形成特定的(111)晶向的生长，从而提高了薄膜的AMR值，并且降低了薄膜的矫顽力，使得薄膜的灵敏度提高。因此本方法对于磁传感器器件性能的提高具有巨大的潜在价值。