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CMOS图像传感器局部黑电平校准方法

摘要

本发明提供一种CMOS图像传感器局部黑电平校准方法,所述方法包括:将图像区域划分为M×N个区块,每个区块分割线的交点设为标定点,设定初始校准系数K(m,n);获取黑行数据,计算黑行的均值B,计算不同温度下的校准系数曲线A,得到当前校准系统K1;分别对标定点、标定点之间水平直线上的点、标定点之间垂直直线上的点以及每个区块区域中的点计算修正后的黑电平值Bnew;减去修正后的黑电平值并输出校准后的像素值。本发明提供的CMOS图像传感器局部黑电平校准方法能有效解决在温度发生变化时,黑电平校准过程中所减去的黑电平的值存在偏差的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN109348147A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-02-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海晔芯电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201811394128.5

  • 发明设计人 邵科;王毫杰;陆燕青;

    申请日2018-11-21

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室

  • 入库时间 2024-02-19 07:36:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-14

    著录事项变更 IPC(主分类):H04N5/361 变更前: 变更后: 申请日:20181121

    著录事项变更

  • 2019-03-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04N5/361 申请日:20181121

    实质审查的生效

  • 2019-02-15

    公开

    公开

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