一种用于微纳尺度多级结构装配的方法及其验证方法

摘要

本发明公开了一种用于微纳尺度多级结构装配的方法及其验证方法，属于电子元器件制造领域，本发明利用硅胶基体的收缩变形，一级屈曲形成微纳尺度三维结构，并在一级屈曲结构的底部生长一层厚度和几何外形可控的下层二维薄膜结构，将结构整体从硅胶基体表面移除后，在不施加外在因素的条件下，上层的二维薄膜结构以及下层二维薄膜结构会发生二次屈曲变形，进而形成多级装配结构；本发明还公开了验证其正确性的方法；本发明的有限元方法可以满足半导体结构的多级装配需求，克服了传统技术无法应用于半导体薄膜结构的缺点，同时引入多级屈曲装配的方法，丰富了三维结构的形态，增加了三维结构器件在设计上的可选择性。