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一种固态硬盘页级闪存转换层设计方法

摘要

本发明公开了一种固态硬盘页级闪存转换层设计方法。本发明将NAND闪存划分为两个部分:数据块区域和翻译块区域,数据块区域用于储存常规用户数据,翻译块区域只储存映射信息,且整个闪存采用基于页的映射。RAM被分为W‑CMT、R‑CMT、GTD三个部分:W‑CMT用于储存高访问频次的写数据映射信息;R‑CMT用于储存高访问频次的读数据映射信息、GTD用于记录映射块中的地址映射项。本发明实现高灵活性的页级映射的同时,极大程度上减少由于数据更新导致的翻译页频繁更新,进而提升整体系统性能,延长固态硬盘使用寿命。

著录项

  • 公开/公告号CN109446117A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-03-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州电子科技大学;

    申请/专利号CN201811038059.4

  • 申请日2018-09-06

  • 分类号G06F12/123(20160101);

  • 代理机构33240 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人朱月芬

  • 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

  • 入库时间 2024-02-19 07:11:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F12/123 申请日:20180906

    实质审查的生效

  • 2019-03-08

    公开

    公开

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