一种闪存存储电路的抗总剂量效应加固方法

摘要

本发明提供一种闪存存储电路的抗总剂量效应加固方法，包括：步骤一、提供闪存存储阵列；步骤二、将初始信息编译为编码信息，并输入闪存存储阵列，编码信息中的二进制代码“0”和“1”的数量相等；步骤三、对闪存存储阵列中的编码信息进行判读，并将判读得到的二进制代码“0”和“1”的数量进行统计；步骤四、比较统计结果，当判读得到的二进制代码“0”和“1”的数量相等，则将编码信息译码读出；当判读得到数量不等，则调整闪存存储阵列的读取电压，直至判读得到的二进制代码“0”和“1”的数量相等。本发明能够通过调整读取电压的方式有效维护闪存存储电路的性能稳定性。