一种氧含量梯度变化的硅氧烷薄膜

摘要

本发明属于阻隔薄膜技术领域，具体涉及一种氧含量梯度变化的硅氧烷薄膜。所述薄膜通过以下方法制备得到，所述方法采用的PECVD装置沿走带方向设置三段布气板，具体为：基膜安装后真空室抽真空，然后在三段布气板中分别通入不同通量的六甲基二硅氧烷和氧气进行镀膜。采用三段式布气板结构的PECVD装置进行镀膜，制备了氧含量梯度变化的硅氧烷薄膜，低氧/高氧叠加的硅氧烷薄膜，同时具有高氧硅氧烷的高阻隔性和低氧硅氧烷薄膜的高柔韧性。