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公开/公告号CN109444212A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院电工研究所;
申请/专利号CN201811340304.7
发明设计人 刘珠明;王大正;孙方远;郑利兵;殷伯华;韩立;
申请日2018-11-12
分类号G01N25/20(20060101);G01N25/18(20060101);
代理机构11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司;
代理人李博洋
地址 100015 北京市海淀区中关村北二条6号
入库时间 2024-02-19 06:59:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-02
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N25/20 申请日:20181112
实质审查的生效
2019-03-08
公开
机译: 近场探头,配备有近场探头的高频介电常数测量装置以及近场探头的更换部件
机译: 近场测量装置及近场测量方法
机译: 近场测量装置和近场测量方法
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机译:基于调制散射技术的无创近场测量装置,应用于微波层析成像。
机译:一种能够测量膜之间近场热辐射的MEMS器件
机译:一种基于近场测量的方法,用于在CIspR-25测试装置中预测30mHz以下的场发射
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