公开/公告号CN109205578A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-15
原文格式PDF
申请/专利权人 上海交通大学;
申请/专利号CN201810902846.2
申请日2018-08-09
分类号C01B21/06(20060101);C01B21/082(20060101);C01B19/04(20060101);C01B21/064(20060101);C01B35/14(20060101);C01G23/00(20060101);C01G25/00(20060101);C01G31/02(20060101);C01G35/00(20060101);C01G39/02(20060101);C01G39/06(20060101);C01G41/00(20060101);C01G41/02(20060101);C01G45/02(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构31236 上海汉声知识产权代理有限公司;
代理人胡晶
地址 200240 上海市闵行区东川路800号
入库时间 2024-02-19 06:49:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C01B21/06 申请日:20180809
实质审查的生效
2019-01-15
公开
公开
机译: Ge Ge层状Ge的制造方法,用于剥离层状的Ge纳米片和含有该Ge纳米片的锂离子电池用电极
机译: 原始电化学活性GES纳米片的无水液相剥离
机译: 原始电化学活性GES纳米片的无水液相剥离