法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-02
实质审查的生效 IPC(主分类):C01G31/02 申请日:20181210
实质审查的生效
2019-03-08
公开
公开
机译: 用于二元和三元合金或固溶体形成羟基接触的薄膜电极,用于形成高质量的基于GaN的光学器件的P型热薄膜,并提供了一种使镁-碳键合断裂的方法和增加断裂的方法周围的GaN表面
机译: 基于NiOx:电子受体纳米复合材料的薄膜的制备方法以及包含该薄膜的光电器件
机译: 基于多成分的复合薄膜,沉积方法,热头和制备方法