公开/公告号CN109284114A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-29
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市中兴微电子技术有限公司;
申请/专利号CN201710595405.8
发明设计人 孙福山;
申请日2017-07-20
分类号G06F8/65(20180101);H04L9/32(20060101);
代理机构11467 北京德崇智捷知识产权代理有限公司;
代理人卫麟
地址 518055 广东省深圳市南山区西丽街道留仙大道中兴工业园
入库时间 2024-02-19 06:47:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-01
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F8/65 申请日:20170720
实质审查的生效
2019-01-29
公开
公开
机译: 用于动态RAM存储器芯片的存储器电路模块,具有比较逻辑,用于比较重写数据位缓冲器中的数据位和另一个缓冲器中的数据位,以验证熔丝组件的烧录是否以无错误的方式进行
机译: 用于提供嵌入式系统中的可编程逻辑设备的硬件辅助编程的方法和系统
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