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一种含有铋缺陷的不同晶相的氧化铋光催化剂及其制备方法

摘要

本申请公开了一种含有铋缺陷的不同晶相的氧化铋光催化剂及其制备方法,通过所述制备方法制备出含有铋缺陷的不同晶相的氧化铋光催化剂,由于铋缺陷的形成,可在光催化剂的价带与导带之间构建一个缺陷中间能级,改变了光生电子的激发传输路径,促进了光生电荷的迁移转化,进而抑制了光生电子‑空穴对的复合,采用硼氢化钠将Bi

著录项

  • 公开/公告号CN109250755A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆工商大学;

    申请/专利号CN201811072043.5

  • 发明设计人 董帆;雷奔;李宇涵;王红;

    申请日2018-09-14

  • 分类号

  • 代理机构北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人逯长明

  • 地址 400067 重庆市南岸区学府大道19号

  • 入库时间 2024-02-19 06:35:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G29/00 申请日:20180914

    实质审查的生效

  • 2019-01-22

    公开

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