Random access memory; Switching; Reliability; Patent applications; Layers; Antiferromagnetic materials; Magnetic memory cells; MRAM(Magnetic random access memory);
机译:用于低温记忆的周期性Co / Nb伪自旋阀
机译:具有垂直各向异性的基于纳米图案[Co / Pd]的伪自旋阀的高磁和热稳定性,适用于1 Gb磁随机存取存储器应用
机译:伪自旋阀存储元件的动态切换特性
机译:旋转阀和伪旋转阀装置切换用于巨型磁阻随机存取存储器应用
机译:交换偏置和封闭通量伪自旋阀材料,设备应用和电气可靠性。
机译:用于低温记忆的周期性Co / Nb伪自旋阀
机译:用于低温记忆的周期CO / NB伪旋转阀