DIODES; MULTIPLIERS; Wave Multiplier bbBaNN Planar Divice;
机译:背对背势垒-N-N / sup + /变容二极管三倍频在200 GHz时的实验性能
机译:C / sub max // C / sub min /比率对背对背Barrier-N-N(bbBNN)变容二极管倍频器性能的影响研究
机译:使用分离波导模块集成背对背势垒-N-N / sup + /变容二极管三极管
机译:在220 GHz的新型分体式波导模块中集成了背靠背势垒n-n / sup + /(bbBNN)变容二极管的三频器
机译:对100-200GHz转移电子振荡器设计的理论和实验贡献。
机译:使用四阳极肖特基二极管的135-190 GHz宽带自偏置倍频器
机译:毫米波区域中高效的三倍频器,结合了两个变容二极管的背靠背配置
机译:采用背对背势垒-N-N变容二极管的220 GHz三倍频器