Broadband; Integrated circuits; Microwave circuits; Noise temperature; High electron mobility transistors; Frequency ranges; Low frequencies; Low noise; Microwave amplifiers; Operating temperature;
机译:噪声温度低于28 K的ALMA Band 2 + 3的宽带MMIC LNA
机译:低温36-45GHz InP低噪声放大器MMIC,通过消除寄生平行板模式提高了噪声温度
机译:通过消除寄生平行板模式提高噪声温度的低温36a×45 GHz InP低噪声放大器MMIC
机译:W波段INP宽带MMIC LNA,具有30k噪声温度
机译:InP HBT功率放大器MMIC在220GHz时可达到0.4W
机译:InP在低至220°C的低温下形状受控的InP单晶生长
机译:具有30K噪声温度的W波段InP宽带MMIC LNA