CLADDING; TUNGSTEN CARBIDES; URANIUM CARBIDES; VAPOR DEPOSITION; ZIRCONIUM CARBIDES; CLADDING; TUNGSTEN; URANIUM CARBIDE; VAPOR DEPOSITION; ZIRCONIUM CARBIDE;
机译:纯CH {sub} 4沉积方法结合离子束辅助沉积和等离子增强化学气相沉积,改善了碳膜覆盖的不锈钢和碳化钨基底的磨损
机译:用1-甲基硅酰丁烷的前体通过热线化学气相沉积结晶钽碳化物和二硫醚形成
机译:雾化学气相沉积碳化钨薄膜的制造和力学性能
机译:钨的选择性化学气相沉积法形成CMOSFET / SIMOX的金属覆层
机译:在硅和碳衬底上化学气相沉积碳化钨膜。
机译:可扩展合成少数层2D钨丁烯烯(2h-wse2)纳米胸底直接在钨(w)箔上生长使用环境压力化学气相沉积来反转锂离子贮存
机译:通过微波等离子体增强化学气相沉积(MPECVD)沉积C-BN薄膜碳化物插入工具