CAPACITORS; CRYSTALLOGRAPHY; FABRICATION; HIGH VACUUM; MICROELECTRONICS; PERMITTIVITY; THIN FILMS; CAPACITOR; DIELECTRIC CONSTANT; HIGH VACUUM; THIN FILM;
机译:时间依赖性介质击穿和应力引起的泄漏电流对Gbit级DRAM高介电常数(Ba,Sr)TiO / sub 3 /薄膜电容器可靠性的影响
机译:聚酰亚胺-钛酸钡纳米复合材料作为有机薄膜晶体管应用的栅极电介质的可调介电常数
机译:旋涂周期性介孔有机硅薄膜-面向新一代低介电常数材料
机译:采用新型共形沉积技术的具有高介电常数薄膜的千兆规模DRAM电容器技术
机译:高介电常数薄膜基器件的材料科学,集成和性能表征。
机译:铜纳米线/非晶态的巨介电常数用于超级电容器的SiO2复合薄膜
机译:多媒体薄膜真空设备及应用。高介电常数的电容膜沉积技术。