Indium Phosphides; Nickel; Palladium; Semiconductor Devices; Annealing; Chemical Reactions; Deposition; Electric Contacts; Electron Diffraction; Gallium Arsenides; Morphology; Oxides; Sputtering; Thin Films; ERDA/400201; ERDA/420800; Theses;
机译:Cu含量对Sn(Cu)合金与Ni / Ti薄膜金属化界面反应的影响
机译:Mo_3MS_4(M = Co,Ni,Pd,Cu)和Mo_3NiSe_4杂金属立方体簇与CO的反应:电子数和M = Ni,Pd的动力学/热力学研究
机译:Pd(P)厚度对Sn-3Ag-0.5Cu合金与超薄Ni(P)型Au / Pd(P)/ Ni(P)/ Cu金属化焊垫之间钎焊反应的影响
机译:基于贵贵的过渡金属的欧姆触点P型InP:基础金属的比较(Ni,Pd)
机译:PD-Ni-P散装金属玻璃中的旋转晶膜分解,合金混合负热合金体系
机译:进展过渡金属(钯镍铁)催化交叉偶联反应使用烷基 - 金属有机化合物作为反应伙伴
机译:PD-NI双金属纳米颗粒在ZrO2上负载,作为铃木 - 宫谷反应的有效催化剂