Integrated circuits ; Field effect transistors ; Tunneling(Electronics) ; Theses ; Electric fields ; Green(Color) ; Complementary metal oxide semiconductors ; Scaling factor ; Efficiency ; Schottky barrier devices ; Heterojunctions;
机译:隧道场效应晶体管(TFET)中陡峭隧道结的硅化物诱导的掺杂激活研究
机译:双源U形通道的负电容隧穿场效应晶体管设计,超陡亚阈值摆幅和大型导通电流
机译:基于陡峭的亚甲基坡隧道场效应晶体管的过渡金属二甲基甲基化物的性能评估
机译:陡峭的子阈值隧道晶体管的新预先列表
机译:陡峭打开/关闭“绿色”隧道晶体管。
机译:结合了相变和带间隧道效应的陡坡晶体管以实现亚单位体积因数
机译:硅掺杂氧化铪铁电p-n-p-n sOI隧穿场效应晶体管,具有陡峭的亚阈值斜率和高开关电流比