机译:InP在接触载荷下的低载荷变形;与砷化镓比较
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机译:具有n / sup +/- InP接触层的InP / InGaAs HBT,由MOMBE使用SiBr / sub 4 /
机译:80-200 nm栅极长度的比较Al / sub 0.25 / GaAs / GaAs /(GaAs:AlAs),Al / sub 0.3 / GaAs / In / sub 0.15 / GaAs / GaAs和In / sub 0.52 / AlAs / In / sub 0.65 / GaAs / InP HEMT
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机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:在基于InP的光子膜的重掺杂n型InGaAs和InGaAsP上具有超低光学损耗的欧姆接触