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Integrated Source Drivers for Electrophoretic Displays Using Low Temperature IZO TFTs

机译:使用低温IZO TFT的电泳显示器的集成源极驱动器

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摘要

A low temperature (180℃) Indium Zinc Oxide thin film transistor process compatible with flexible substrates and integrated source drivers for electrophoretic displays using these IZO TFTs has been developed at the Flexible Display Center. Initial stress tests show improved threshold voltage stability compared to amorphous silicon TFTs.
机译:在柔性显示中心开发了一种低温(180℃)氧化铟锌薄膜晶体管工艺,该工艺与柔性基板以及使用这些IZO TFT的用于电泳显示器的集成源极驱动器兼容。初始应力测试显示,与非晶硅TFT相比,阈值电压稳定性得到了改善。

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