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【24h】

Identification d'un potentiel critique de piqure pour des inhibiteurs filmogenes a l'aide de methodes electrochimiques classiques et nouvelles

机译:使用常规和新颖的电化学方法鉴定成膜抑制剂的临界st电位

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摘要

Dans les installations operant sous H_2S, les entrees d'oxygene sont transformees en thiosulfate. La remanence de cet oxydant residuel peut alors induire une corrosion par piqure en presence de certains inhibiteurs de corrosion. L'absence ou la formation de piqures est due a une legere augmentation du potentiel de corrosion, et a l'existence d'un potentiel critique de piqure. Identification a l'aide de courbes de " pseudo-polarisation " (trajectoire du point de corrosion libre U_(corr)(t) = f [log i_(corr)(t)]), en presence de thiosulfate mais sans polarisation appliquee, ou par des courbes de polarisation classiques U = f (log i), tracees sans thiosulfate mais avec des vitesses de balayage ultra-lentes.
机译:在H2S下运行的装置中,氧气输入被转化为硫代硫酸盐。然后,在某些腐蚀抑制剂存在下,这种残留氧化剂的残留物会引起点蚀。点蚀的缺乏或形成是由于腐蚀电位的略微增加和临界点蚀电位的存在。在存在硫代硫酸盐但未施加极化的情况下,使用“伪极化”曲线(自由腐蚀点U_(corr)(t)= f [log i_(corr)(t)]轨迹)进行鉴定,或通过常规极化曲线U = f(log i)绘制,没有硫代硫酸盐但扫描速度极慢。

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