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机译:GaN纳米柱与金属有机化学气相沉积的结合过度生长
MOLECULAR-BEAM EPITAXY; MOVPE GROWTH; SI(111); LUMINESCENCE; NANOCOLUMNS; LAYERS;
机译:GaN纳米柱与金属有机化学气相沉积的结合过度生长
机译:金属有机化学气相沉积Au + Ga合金种子法在Si(111)衬底上生长的自组装GaN纳米柱
机译:金属有机化学气相沉积法在光滑氮极氮化镓模板上横向生长氮极氮化镓
机译:金属有机化学气相沉积法在m平面6H-SiC上外延生长(1100)m平面GaN
机译:氮化镓的外延横向过长的实验研究和氮化镓金属有机化学气相沉积过程的模拟。
机译:Inn量子点和纳米结构的金属化学化学气相沉积
机译:金属有机化学气相沉积法形成的a面GaN的外延横向过生长
机译:金属有机化学气相沉积法横向外延生长的GaN非平面衬底的三维微观结构表征