DEPUNEREA STRATURILOR SUBTIRI DE DIOXID DE TITAN PE SUPORT DE SILICIU

摘要

Problematica acestui studiu a fost de a stabili parametri depunerilor MOCVD realizate intr-un dispozitiv experimental original, cupland un reactor MOCVD la tehnicile de analiza de suprafata in-situ. In acest caz este vorba de depuneri TiO_2 pe Si monocristalin plecand de la izopropoxidul de titan IV, precursor organo-metalic. S-au optimizati parametrii de depunere: temperatura, presiunea, sistemul de introducere al precursorului, starea suprafetei substratului.