机译:在Gallanyls R〜(* _ 3)Ga_2和R_〜(* _ 4)Ga_3以及Gallanides R〜(* _ 3)Ga_(2〜-)和R〜(* _ 4)Ga_(3〜-)(R〜 * = SitBu_3)-合成,表征,结构
anions; EPR spectroscopy; gallium; radicals; silicon; X-ray structurral analyses;
机译:在Gallanyls R〜(* _ 3)Ga_2和R_〜(* _ 4)Ga_3以及Gallanides R〜(* _ 3)Ga_(2〜-)和R〜(* _ 4)Ga_(3〜-)(R〜 * = SitBu_3)-合成,表征,结构
机译:栅极结构构造双异质结高电子迁移率晶体管Onal_(0.22)ga_(0.78)as / in_(0.16)ga_(0.84)as / al_(0.22)ga_(0.78)的比较影响研究
机译:调制掺杂的Ga_(1-y)Al_(y)As / Ga_(1-x)Mn_(x)As / Ga_(1-y)Al_(y)中Mn间隙的费米能量依赖性形成的直接证据作为异质结构
机译:光子衰变时间研究Al_(0.45)Ga_(1-0.55)N / Al_(0.18)Ga_(1-0.82)N / Al_(0.45)Ga_(1-0.55)N通过MoCVD在蓝宝石底物上生长的双异质结构
机译:新型混合金属氧化物的合成,结构,表征,电子结构计算和功能特性(例如二次谐波产生,压电性,铁电性和热电性)
机译:含有13-嘧啶基配体的偶氮配合物的合成重荷表征和晶体结构:Pd(PPH3)(Br) 2(μη2-C4H3N2)2Pd(Br) 2( μη2-hdppa)2和{pd(pph3)(ch 3cn)} 2(μη2-c4h3n2)2 bf4 2
机译:稀磁半导体的电子结构 $ Ga_ {1-x} mn_ {x} N $和$ Ga_ {1-x} Cr_ {x} N $