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【24h】

新露光技術「液浸」が急展開45nm向けに戦略を再構築

机译:新型浸没式光刻技术迅速扩展,重新构想 45nm 战略

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摘要

「45nmのリソグラフィ(露光)の光源には波長157nmのF_2レーザー」。 そんな見方がここに来て急速に変わり始めている。130~65nm向けに使われてきた波長193nmのArFレーザーを45nm向けにも使う「ArF液浸」技術を採用しようという動きが出てきたからである。ArF液浸は,開口数(NA)を高められる水中でレーザー光を収束させて解像度を高める技術である。 レーザー光の短波長化で解像度を高めてきた従来の流れとは一線を画す。 とはいえ,F_2の芽がなくなったわけではなく,装置メーカーは両方の技術の開発を続けている。 オランダASM Lithography(ASML),キヤノン,ニコンの装置メーカー大手3社の技術戦略と共に最新情報を報告する。
机译:“用于 45 nm 光刻(曝光)的光源是波长为 157 nm 的F_2激光。” 近年来,这种观点开始迅速改变。 这是因为有一种采用“ArF浸没”技术的运动,该技术使用波长为193 nm的ArF激光器,该激光器已用于130~65 nm,用于45 nm。 ArF浸泡是一种通过将激光聚焦在水中来提高分辨率的技术,其中可以增加数值孔径(NA)。 这与通过缩短激光波长来提高分辨率的传统趋势背道而驰。 然而,萌芽F_2并没有消失,设备制造商继续开发这两种技术。 我们将报告最新信息以及荷兰三大设备制造商ASM光刻(ASML)、佳能和尼康的技术战略。

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