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Electronic structure of p-type conducting transparent oxides

机译:p型导电透明氧化物的电子结构

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摘要

The band structure of p-type transparent conducting oxides CuAlO2, CuGaO2, CuInO2 and SrCu2O2 have been calculated by the pseudopotential method within the local density formalism. The band gaps have been found using the B3LYP functional. The minimum indirect gap of CuXO2 decreases along the series X=Al to In, and the valence band maximum is always at the zone boundary. The band maxima of SrCu2O2 are both at Gamma. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved. References: 26
机译:在局部密度形式内,采用赝势法计算了p型透明导电氧化物CuAlO2、CuGaO2、CuInO2和SrCu2O2的能带结构.使用 B3LYP 泛函发现了带隙。CuXO2 的最小间接间隙沿 X=Al 级数减小到 In,价带最大值始终在区域边界处。SrCu的能带最大值2O2 都在 Gamma 处。(C) 2002 Elsevier Science B.V.保留所有权利。[参考文献: 26]

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