...
首页> 外文期刊>電子情報通信学会論文誌, C. エレクトロニクス >水素化アモルファスシリコン薄膜の光劣化に関連する光誘起体積変化
【24h】

水素化アモルファスシリコン薄膜の光劣化に関連する光誘起体積変化

机译:与氢化非晶硅薄膜的光降解相关的光诱导体积变化。

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

水素化アモルファスシリコン(以下,a-Si:H)薄膜における光劣化現象について,そのメカニズム解明と抑止のために,光誘起体積変化現象の観点から研究を進めた結果を報告する.a-Si:H薄膜には光を照射すると体積が膨張または収縮する2種類の構造が存在すること,またそれらは主として膜中の水素量とSi格子の初期構造に起因する可能性があることがわかった.更に,光劣化は光誘起体積膨張と深い関係があることを示し,光分化抑止のための方策を検討した.
机译:为了阐明氢化非晶硅(以下简称a-Si:H)薄膜的机理并抑制光降解现象, 我们发现,a-Si:H薄膜中存在两种结构,它们在光照射下体积膨胀或收缩,它们可能主要是由薄膜中的氢含量和Si晶格的初始结构引起的。 此外,我们表明光降解与光诱导的体积膨胀密切相关,我们研究了防止光分化的措施。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号