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マイクロ波シリコンパワーMOSFET

机译:微波硅功率MOSFET

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摘要

シリコンパワーMOSFETは90年代後半,微細加工技術,低抵抗ゲート電極材札SOI構造等のLSI技術を導入して飛躍的に性能が向上し,2GHz帯では化合物半導体デバイスと同等の性能を示すようになった.更に21世紀に入り5GHz帯での適用の見通しが得られた.本論文では,シリコンマイクロ波パワーMOSFETの研究開発の歴史,構造的な特徴,高周波特性改善のための研究開発動向について述べる.
机译:在90年代后期,通过引入微细加工技术、低电阻栅极材料和SOI结构等LSI技术,硅功率MOSFET的性能得到了显着提高。 本文介绍了硅微波功率MOSFET的研发历史、结构特点以及提高其高频特性的研发趋势。

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