1.8V，CMOS LNAの自動ゲインキャリブレーションの一方式

摘要

プルートゥースや無線LANなどの近距離無線アクセスシステムでは，トランシーバ用LSIの微細CMOS適用による1チップLSI化及び受信感度特性改善に対する強い市場要求がある．受信感度特性はトランシーバ初段の高周波·低雑音アンプ（LNA）のゲインばらつきの影響を強く受ける．特に低電圧動作CMOSではゲインばらつきが大きく，これを低減することが大きな課題になっている．本論文ではこの解決策として0.18 μm CMOSプロセスへの適用を前提に1.8 Vで動作するLNAの自動ゲインキャリプレーション手法及び回路を提案した．シミュレーション及び試作ICにより，従来+-3.6 dB程度あったゲインばらつきを+-1 dB以下にできることを確認した．これにより，最小受信感度を2 dB以上改善できる見通しを得た．