サブ100nm世代におけるGHz動作SRAMマクロのためのセンス方式

摘要

サブ100nm世代における、SRAMマクロのGHz動作を実現するための、新規センス方式を提案する。 ビット線動作を高速化するために、ビット線対毎にセンスアンプを配置する。90nmCMOSプロセスを用いて、64Kb SRAMマクロを試作することで、提案センス回路の動作を確認した。