触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜／ガラスの低温固相成長

摘要

システムインディスプレイの実現には，ガラス上で高いキャリヤ移動度を有する半導体薄膜の形成が必要である．そこで本論文では，触媒金属（Ni）を用いた非晶質Si_(1-x)Ge_x（0 ≤ x ≤ 1）薄膜の低温（≤550℃）結晶化を検討した．その結果，成長形態はGe濃度により顕著に変化し，均一成長と樹枝状成長が発現した．また，高電界下（≥2000V/cm）で成長を誘起することにより，結晶成長の方向がほぼ完全に電界方向に整列した．これらの成果はGe濃度及び印加電界の制御により，ガラス上におけるSiGe結晶成長を高度に制御できる可能性を示すものである．