1V動作可能な強誘電体メモリ用SBT膜の形成

摘要

強誘電体メモリにおける低電圧動作を実現するためには，キャパシタ特性低下を伴わずに強誘電体膜を薄膜化することが必要である．ゾルーゲル法によりSBT（SrBi_2Ta_2O_9）膜の成膜過程において，1層厚みと繰返し積層回数を見直すことにより膜表面が平滑化し，薄膜化した場合にも耐圧 ＞ 1MV/cmを維持することができた．この方法では，膜厚減少に伴う特性低下は見られず，膜厚1000Aで飽和電圧1.0Vが得られた．更に平滑化により，分極の非対称性も見られなくなった．