Cu/low-k構造デバイスのCMP後洗浄プロセスの開発

摘要

近年の超LSIデバイスにおける高集積化高速化要求に伴い，Cu配線とLow－k膜（低誘電率膜）を用いるCu／low－kダマシン（塊込配線）プロセスが登場している. 新材料であるCu，Low－k膜の適用により，CMP後洗浄プロセス開発も困難に直面している?課題の一つは疎水性のLow－k股上の残さであり，多くのスラリー（研磨剤）や洗浄液がLow－k膜用に開発されている．我々はこれらのスラリーと洗浄液の組合せでLow－k膜上での洗浄性能を評価し7最適なプロセスの開発を行った. Low－k膜2種類，TEOS膜，Cu膜でのDefbct測定のほか. Low－k膜上へのメタル不純物汚染の測定を実施し，性能が優れた洗浄夜を見出した．また漁断夜の性能はスラリーによって異なることが判明した. 更に我々は最適プロセスをCu／low－k構造のデバイス製造に適用して，電気特性評価を実施した. 得られた配線間リーク電流は10~(-9)～10~(-10)A／m以下と十分に低く，本プロセスが実際の超LSIデバイス製造に適用可能であることを示した．