強反転領域におけるSGTの移動度増加

坂本　渉; 羽田　秀生; 桜庭　弘中村　広記舛岡富士雄

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強反転領域におけるSGTの移動度増加

机译：SGT在强逆温区的流动性增加。

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本論文では，SGTの強反転領域における電子移動度が実効垂直電界の緩和により増加することを示した．シリコン柱直径10nmのSGTでは，反転電荷密度1×10~(-7)C/cm~2のときにプレーナMOSFETに対して電子移動度が53.4％増加した．

机译：本文表明，当反相电荷密度为1×10~（-7）C/cm~2时，SGT强反转区的电子迁移率比平面MOSFET提高了53.4%。

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来源
《電子情報通信学会論文誌, C. エレクトロニクス》 |2005年第5期|338-339|共2页
作者
坂本　渉; 羽田　秀生; 桜庭　弘中村　広記舛岡富士雄;
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作者单位

東北大学電気通信研究所;

仙台市;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种日语
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
SGT; 移動度; 実効垂直電界; 三次元トランジスタ;

机译：SGT;移动性;有效法向电场;三维晶体管;

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