電流基板制御方式による基板ノイズ低減及びランダムばらつき抑制効果

摘要

セルフアジャスト順方向基板制御方式(SA-FBB)を用いた際の基板ノイズ低減効果、及びランダムばらつき低減効果について報告する。効果を測定、確認するために2つのテストチップを用意した。 1つ目のチップには様々な周波数のノイズ源とそのノイズを検出するためのオンチップオシロスコープが搭載していて、基板制御時のノイズ低減効果が測定できる。 130nmCMOS、3-Wellプロセスを用いた。 2つ目のチップには10M個のトランジスタを搭載し、基板制御を行った際のランダムばらつきの傾向の測定ができる。 SA-FBBを用いると基板ノイズ（Wellノイズ）は最大70.2％低減効果があり、ランダムばらつきσ(I{sub}(ds))は最大57.9％程度低減効果がある。