一軸応力下におけるSOI MOSFETの基板浮遊効果

摘要

一軸応力印加下におけるnチャネルSOI（Silicon on Insulator）MOSFETの基板浮遊効果を調査し，引張りの面内応力によってドレーン耐圧が低下することを発見した．また，そのドレーン耐圧低下の原因を調べるため，ドレーン耐圧を決定する二つの要素であるソース・ボディ間の拡散電位とインパクトイオン化電流（ボディ電流）の応力依存性を調査した．その結果，ドレーン耐圧の低下は電子移動度の増加（ソース電流の増大）だけでなくインパクトイオン化率の増大に伴うインパクトイオン化電流の増加によるものだと分かった．