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極薄シリコン酸化膜におけるPre-Breakdown現象のキャリヤセパレーション法による解析

机译:载流子分离法分析超薄氧化硅薄膜预击穿现象

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摘要

ゲート酸化膜の絶縁破壊前に見られる異常リーク現象をキャリヤセパレーション法により解析した.ほとんどの異常リーク電流ではゲートからの電子電流のみが支配的であり,電子の平均基板入射エネルギーは様々な値をとり得る.これは酸化膜中の中性トラップクラスタ付近でポテンシャル障壁が局所的に弱められることに起因するリーク電流であるというモデルにより定性的に説明される.一部の異常リーク電流では電子電流に加え反転層からの正孔電流が同程度生じる.
机译:采用载流子分离法分析了栅极氧化膜介电击穿前观察到的异常泄漏现象。 电子的平均入射能可以有多种数值,该模型定性地解释了漏电流是由氧化膜中性阱簇附近的势垒局部减弱引起的。

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