プラスマイナス高電圧の発生を可能とした基板制御型チャージポンプ

摘要

不揮発性メモリの書換え時に必要なプラスまたはマイナスの高電圧を低電源電圧1.5 Vから効率良く発生させるチャージポンプタイプの昇圧回路を開発した．チャージポンプ段の電荷を転送するトランスファNMOSの基板（ウェル）電位をクロックに応じて変動させ，トランスファNMOSの基板効果の影響をなくし，更にトランスファNMOSのゲート電位を電源電圧の2倍の電位で制御することにより，0.18 μmプロセスを用いたチャージポンプ10段回路で，電源電圧1.5 Vの条件のもと10 V以上の高電圧を発生することができた．また，チャージポンプの入出力を入れ換えるだけで，プラス高電圧またはマイナス高電圧を発生することを確認するとともに，このチャージポンプを直列接続して出力負荷電流及び電圧値が異なるプラス昇圧電圧が同時に発生することを確認した．