耐電力21.5 dBm·5 GHz送受信切替CMOSスイッチ

摘要

本報告では、高耐電力21.5 dBmを実現した5 GHz送受信切替CMOSスイッチについて報告する。高実効基板抵抗を有するDepletion-layer-Extended Transistor (DET)を適用することにより、CMOSにおいてトランジスタの2段化による電圧分割効果を実現し、高耐電力化を可能にした。 また、トランジスタ2段化の副作用である受信側挿入損失劣化についても、DETにおける接合容量低減および実効基板抵抗増大という挿入損失改善効果により、5 GHzにおいて、受信側1.44 dB、送信側0.95 dBという低挿入損失を実現した。