高真空中接触角測定法によるGaAs表面状態の「その場」観察

摘要

高真空中で20～550℃の範囲の基板温度に保たれたGaAs基板の表面状態を明らかにするため，GaAs基板に付着したGa液滴とGaAs表面とがなす接触角を測定する装置を開発した．この装置を用いた結果，酸化膜を成長させたGaAs（100）基板上のGa液滴の接触角は基板温度によらずぬれ性が変化せず真空中では140°の値を示すこと，酸化膜を除去した場合にはぬれ性が増し基板温度の上昇につれて接触角が減少すること，更に，ぬれの程度はGaAs基板の面方位に依存することが明らかとなった．