不揮発性メモリH－RAMの検討

摘要

ホール効果を用いた半導体不揮発性メモリH－RAMを提案する．本論文ではその動作原理を述べH－RAM固有の問題であるオフセット電圧問題解決のため，いくつかの相補型メモリ構造を提案する．また，各種構造においてセルアレー構造に特有の他セルへの書込みに伴う磁場，周辺セルから発生する磁場，更には磁性体自身の反磁場等の影響を検討し，正常動作のための磁性材料への要求を求め，書込み電流等を概算した．