MOSFETのサブスレッショルド特性を利用したスマ山卜温度センサLSIの検討

摘要

MOSFETのサブスレッショルド電流特性を利用した温度センサを提案する。 サブスレッショルド領域での電流特牲は、温度に対して指数的に変化する。また、その電流僻は数十nAオーダの微小電流であり、極低電力の動作である。この物理特性を利川して、従来方式とは異己る弧度センサLSIを構成することができる。 実際にセンサ回路を設計し、その動作をSPICEシミュレーションにより確認した，この温度センサは、サブスレッショルド領域で動作するCMOS回路からなり、6μW程度の極低電力で動作するり.