ケルビンプローブ法による導電性高分子/金属積層膜の加熱冷却に伴う表面電位の評価

摘要

本研究では，導電性高分子であるポリ（3－オクタデシルチフェン）（PAT18）をAl及びITO基板上に種々の厚さで製膜し，ケルビンプローブ法を用いて加熱冷却時における表面電位を測定した．Al基板を用いた場合，膜厚約10岬1では加熱に伴い急激に表面電位が減少したが，ITO基板の場合では変化が見られなかった．また加熱前の膜厚約20nmでは－1．1V，約10pmでは－0．3Vと，PAT18／Alの室温における表面電位の億は膜厚によって大きく異なったが，加熱後には膜厚によらず－0．8Vで一定の倍となった．PAT18自体の劣化による顕著な影響はないと考えられたため，高分子の溶融に伴うAlの露出やAl上に形成された酸化膜の影響が原因と考えられる．