バルク型サイリスタを用いた高速動作SRAMセルの開発

摘要

65nm世代以降、最も一般的に用いられている6T-SRAMは多くの問題に直面している。 そこで、我々は6T-SRAMに代わるSRAMを検討している。 今回、バルクシリコンウエハーを用いて、サイリスタをSRAM (Static Random Access Memory)セルに応用することを試みた。 このBulk Thyristor-RAM (BT-RAM)は、バルクシリコンウエハーを用いているために、コストを抑えることができる上に混載デバイスとの相性もよい。 さらに100psの高速書き込み／読み出しが可能、オン電流とオフ電流の比が10{sup}8以上、スタンバイ電流が0.5nA/cell以下と非常に良好な特性を示した。 また、アノード領域に選択エピタキシャル技術を用いることで、理想セルサイズも30F{sup}2（Fはデサインルール）と従来型の6T-SRAMの約1/4のサイズになっている。 このようにBT-RAMは現在SRAMの直面している問題を解決し、65nm世代以降に有望なデバイスであることがわかった。