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低温ポリシリコンTFTの光電流に関する解析とデバイスシミュレーションを用いたLDD設計

机译:利用低温多晶硅TFT的光电流分析和器件仿真进行LDD设计

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摘要

低温poly-Si TFTの光電流を抑えるための設計指針を示した.光電流は,チャネル/ドレーンの接合部に空乏化した領域が形成され,この部分で発生する.空乏層の長さを求めるため,低温poly-Siの状態密度のモデリングを行いTFTのデバイスシミュレーションを行った.これより光電流を6pA以下に抑えるためには,LDD部の長さを1μm以上確保しシート抵抗を30kΩ/□から70kΩ/□の範囲とすることが必要であることを見出した.併せて実際にデバイスを作成して実証した.
机译:给出了抑制低温多晶硅TFT光电流的设计指南。 光电流在沟道和漏极交界处形成的耗尽区域产生。 为了确定耗尽层的长度,我们模拟了低温多晶硅的状态密度,并模拟了TFT器件。 结果发现,必须确保LDD部分的长度至少为1μm,薄层电阻在30 kΩ/□至70 kΩ/□范围内。

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