サブ100-nmディジタルLSIの低消費電力技術

摘要

まず、CMOS論理グートおよびLSIの動作時消費電力を解説し、動作時消費電力（P{sub}at）を構成する各ファクタ（ゲート稼働率、回路規模、電源電圧、動作速度、負荷容量、信号遷移時間、等）を削減する方策およびその具体例（アルゴリズム、アーキテクチャ、回路等の改良）を詳述する．次に、論理ゲートおよびLSIの待機時消費電力を概略し、これまでに開発された代表的な待機時消費電力（P{sub}st）の削減技術を詳述し、そのP{sub}st削減効果を検討する．