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炭素電極を使用した電解水によるトレンチポリシリコン洗浄プロセスの検討

机译:基于碳电极的电解水沟槽多晶硅清洗工艺研究

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摘要

トレンチアイソレーションプロセスにおいては酸化工程前にウェーハ上に残った金属汚染が,酸化時に発生する結晶欠陥の原因となる.これまでは無機アルカリ,酸と希フツ酸を組み合わせたウェーハ洗浄が行われてきたが,金属汚染除去能力が低いという点で問題があった.このために金属汚染除去性能が高い洗浄技術が必要不可欠である.本論文では,トレンチに充てんしたポリシリコンを化学的機械研磨CMP(Chemical Mechanical Polishing)法で平たん化する場合のCMP後の洗浄に,炭素電極を用いた電気分解法で生成したアノード水とカソード水を用いた洗浄技術を検討したので報告する.この技術により,従来の洗浄方法に比べてFe,Mg,Znといったウェーハ上の残留金属汚染量が1/2~1/3以下に減少し,酸化時に結晶欠陥が発生しないCMP後洗浄技術を確立できた.本技術は1000℃以上の高温酸化の前処理として有用である.
机译:在沟槽隔离过程中,氧化过程前留在晶圆上的金属污染物是 到目前为止,晶圆清洗是通过混合无机碱、酸和稀未来酸进行的,但存在金属去污能力低的问题。 因此,具有高金属去污性能的清洗技术是必不可少的。 本文将沟槽中填充的多晶硅进行化学抛光CMP(Chemical Mechanical CMP) 抛光)用于CMP后通过方法压平时的洗涤, 该技术将Fe、Mg、Zn等晶圆上的残留金属污染量减少到比传统清洗方法少的1/2~1/3或更少,并建立了氧化过程中不会引起晶体缺陷的CMP后清洗技术。

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