...
首页> 外文期刊>電子情報通信学会論文誌, C. エレクトロニクス >ブートストラップスイッチングによる断熱充電パストランジスタ論理回路の実現
【24h】

ブートストラップスイッチングによる断熱充電パストランジスタ論理回路の実現

机译:通过自举开关实现绝热充电路径晶体管逻辑电路

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

本論文では,ディジタルLSIの低消費電力化を目指して,断熱充電パストランジスタ論理(Adiabatic charging Pass-transistor Logic: APL)回路を提案する.出力段となる断熱充電回路には,従来回路で問題となっていたトランジスタのしきい電圧によるエネルギー消費を低減できるブートストラップスイッチング技術を導入する.1.48μmCMOS製造プロセスを仮定して,インバータ回路を例に,HSPICEを用いてCMOS論理回路とのエネルギー消費量を比較した.提案回路は,漏れ電流による消費エネルギーが支配的となる下限周波数まで解析どおり,クロック周波数に比例して消費エネルギーが減少した.下限周波数は1MHz程度であり,下限周波数ではCMOS論理回路の2.6%の消費エネルギーで動作した.8bitのCLA(Carry Lookahead Adder)の設計では,CMOS論理回路に対してトランジスタ数,チップ面積はそれぞれ2倍,1.5倍となったが,クロック周波数5MHzにおいて,CMOS論理回路の5%の消費エネルギーで動作することを確認した.
机译:在本文中,我们旨在通过使用绝热充电传递晶体管逻辑来降低数字LSI的功耗。 自举开关技术,可以降低晶体管阈值电压的能耗,这在传统电路中一直是一个问题.1.假设CMOS制造工艺为48μm,我们以HSPICE为例,以采用CMOS制造工艺的逆变器电路为例,比较了CMOS逻辑电路的能耗.下限频率约为1 MHz,在下限频率下,它的工作能耗为CMOS逻辑电路的2.6%。 在5 MHz的时钟频率下,确认CMOS逻辑电路消耗了5%的能耗。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号