原料ガス分離分解型プラズマCVD法により作製したa-SiC：H膜の光学的特性

摘要

グロー放電法により作製する水素化アモルファス炭化シリコン（a-SiC：H）膜の高品質化を目的として，膜作製の原料ガスとなるモノシランとメタンをそれぞれ分離して分解する原料ガス分離分解型プラズマCVD法を開発した．この膜作製法における膜作製条件が，膜の光学的特性に及ぼす影響をフーリエ変換赤外分光分析及びラマン分光分析を用いて検討した．その結果，本研究の膜作製法で作製したa-SiC：H膜においては，従来のダイオード法で作製した膜に比べて，膜中のSi-C結合及び炭素含有量が大幅に増加し，また，結合水素量が大きく減少することがわかった．更に，ダイオード法の膜に比べて光導電率が増加するとともに，膜中のSi，C及びHからなるネットワーク構造が熱的に安定であり，本研究で提案の膜作製法が，a-SiC：H膜の膜質の改善に有力な方法であることがわかった．